董 燕  著

                                                   ISBN 978-7-5686-1024-7

                                                   定价 39.80元

作者简介：

董燕，黑龙江人，黑龙江大学讲师，主要从事微电子器件相关研究工作，包括器件设计、封装、测试分析等。共发表SCI收录论文10篇，国家发明专利三项，核心期刊5篇。

内容简介：

本文针对AlInN/GaN HEMT器件性能的热退化问题，提出添加背势垒层和自支撑GaN衬底的解决思路，并通过数值模拟的方法进行了验证优化。另通过模拟和实验研究了AlGaN/GaN和AlInN/GaN HEMT的pH值传感器性能并对感测区尺寸进行了优化，证明GaN基器件具有优异的pH值探测性能。

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